Epitaxialübergang — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f … Fizikos terminų žodynas
epitaksinė sandūra — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f … Fizikos terminų žodynas
epitaxial junction — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f … Fizikos terminų žodynas
эпитаксиальный переход — epitaksinė sandūra statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. epitaxial junction vok. Epitaxialübergang, m rus. эпитаксиальный переход, m pranc. jonction épitaxiale, f … Fizikos terminų žodynas
эпитаксиальный переход — Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание Эпитаксиальное наращивание создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. [ГОСТ 15133 77] Тематики… … Справочник технического переводчика
PHOTOPILES SOLAIRES — Les crises successives du pétrole (avec un prix du baril multiplié par 5 en 1973 pour retomber de moitié en 1981) et l’accroissement continuel de la demande d’énergie dans tous les pays du monde (qui suit une loi inexorablement linéaire en… … Encyclopédie Universelle
Transistor à effet de champ — Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un champ électrique pour… … Wikipédia en Français
CIRCUITS INTÉGRÉS — Les circuits intégrés monolithiques constituent l’approche la plus sophistiquée de la microélectronique. Leur origine technologique remonte à 1958, et leur importance économique et industrielle est devenue considérable. Description des circuits… … Encyclopédie Universelle
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
Diode Laser À Cavité Verticale Émettant Par La Surface — Schéma d une structure VCSEL simple Une diode laser à cavité verticale émettant par la surface (ou VCSEL [v ɪxl] pour l anglais vertical cavity surface emitting laser) est un type de diode laser à semi conducteur émettant un rayon laser… … Wikipédia en Français